петак, 21. децембар 2007.

Nova dostugnuća kod Z-RAM memorije

Z-RAM je memorijska tehnologija koja se oslanja na „efekat plutajućeg tela“ koji je primetan u SOI (Silikon na izolatoru) substratima. U osnovi tip naboja koji se akumulira u unutrašnjosti tranzistora kada se SOI koristi kao substrat, kreirajući neželjeni parazitski efekat. Dok je normalno ovaj efekat nepoželjan, naučnici kompanije Innovative Silicon Inc, razvili su tehniku koja koristi ovaj efekat za tip memorijskog skladištenja u sistemima velikih brzina. Obzirom da dizajn ove vrste memorije ne koristi kondenzatore već se bazira na efektu kapacitivnosti plutajućeg tela, Z-RAM zahteva mnogo manje energije za rad, čitanje, pisanje i osvežavanje podataka.