недеља, 16. децембар 2007.

Fujitsu unapredio ReRAM tehnologiju

Fujitsu Laboratories odeljenje je objavilo da je došlo do značajnog proboja na polju ReRAM (rezistivne memorije) tehnologije. Ova memorija kombinuje nisku potrošnju i ograničene fluktuacije otpornosti. Dodavanjem titanijuma u nikl-oksidnu strukturu ReRAM memorije, Fujitsu je bio u stanju da redukuje struju neophodnu za brisanje memorije na 100 mikroampera i manje. Istraživači su bili u stanju da redukuju fluktuaciju rezistanse za oko 90 procenata u odnosu na konvencionalni ReRAM. Kontrola fluktuacije je kritična za ReRAM zbog osetljivosti ove tehnologije na učestale upise i brisanja podataka pri radu na velikim brzinama. Same operacije su na ovaj način ubrzane za čak 10.000 puta, tvrde u kompaniji Fujitsu. Fujitsu pozicionira ReRAM kao alternativu flash memoriji, a prednosti su mali troškovi proizvodnje, minijaturni dizajn, kao i brzo izvršavanje operacija. Više informacija možete pronaći u ovom članku.