Intel prelazi na 32nm procese

Kompanija Intel planira da uskoro predstavi neke od prvih detalja vezanih za načine na koje će inžejeri ove kompanije izvršiti prelazak sa trenutno korišćenog 45nm tehnološkog procesa na noviji i manji 32nm dizajn tokom sledeće godine.

Na internacionalnom Electron Devices sastanku koji ppočinje 15. decembra u San Francisco-u Intel-ovi inženjeri će prikazati sedam tehničkih dokumenata uključujući onaj o detaljima pokušaja kompanije da kreira prve procesore izrađene u 32nm tehnološkm procesu. Intel planira da na ovaj tehnološki proces pređe krajem 2009 godine.

Ovi procesori kodnog naziva “Westmere” će i dalje biti bazirani na Nehalem mikroarhitekturi koju je Intel predstavio na Intel Developer forumu u avgustu. Prvi od kompanijinih Nehalem procesora, nazvan Core i7 je izrađen na kompanijinom 45nm tehnološkom procesu.

I dok Intel planira da predstavi detalje o svojim pokušajima dovođenja nove generacije procesora na mainstream tržište, nije jedina kompanija koja planira da predstavi svoja dostignuća na ovom polju na nastupajućoj konferenciji. IBM, zajedno sa kompanijama Advanced Micro Devices, Freescale Semiconductor, STMicroelectronics, Toshiba kao i koledžom nano nauke i inženjerstva univerziteta Albani će predstaviti dokument koji opisuje pokušaje ove grupe organizacija da kreira 22nm SRAM (statički RAM) memorijske ćelije.

Pored Intela i IBM-a i inženjeri TSMC kompanije će predstaviti svoje sopstvene planove za 32nm proizvodne procese. Prelazak prema 32nm tehnološkom procesu a zatim i prebacivanje na 22nm proces se smatraju sledećim kritičnim koracima u razvoju procesora.

Kako se veličine desktop, notebook i drugih uređaja nastavljaju menjati a poslovni i kućni korisnici zahtevaju duže trajanje baterije i bolje performanse ovih uređaja, kompanije kao što su Intel i AMD pronalaze nove načine za kreiranje procesora koji koriste manje energije ali i dalje nude značajno poboljšane sveukupne performanse.

Manje veličine takođe znače i da kompanije koje proizvode čipove mogu da dodaju nove karakteristike svojim procesorima kao što je veća količina cache-a. Kada su u pitanju planovi kompanije Intel, dokument koji će biti predstavljen na konferenciji će doneti detalje kako inženjeri planiraju da koriste drugu generaciju high-k metale gate tehnologije koja smanjuje gubitke energije - elektriciteta koji se gubi dok tranzistori rade u praznom hodu.

Očekuje se da će upravo ova karakteristika omogućiti znatno više performanse Westemere linije čipova. Intel je već demonstirao 291 megabitni SRAM test čip koji sadrži više od 1.9 milijardi tranzistora i čiji je test radni takt iznosio 3.8GHz. Dokument takođe donosi detalje o upotrebi low-k dielektrika ili izolatora koji izvode međuveze u okviru čipova.

Činjenica da tranzistori postaju sve manji i da mogu da budu spakovani bliže jedni drugima znači nekoliko stvari, navodi Mark Bohr, jedan od viših zvaničnika Intela. Biće potrebno manje enrgije da bi se ovi tranzistori uključili i isključili. Takođe, kao što je slučaj i kod svakom mikroprocesora ukoliko su karakteristike bolje “upakovane” to znači manju potrošnju energije.

Isto tako činjenica da tranzistori rade brže znači da neki od proizvoda će imati više radne taktove od ranijih a po dimenzijama manji procesori omogućavaju da u okviru jednog procesora se ugradi više jezgara. Intel-ov dokument koji će biti predstavljen od strane Sanjay Natarajan-a, Intel-ovog menadžera za program 32nm tehnologije će takođe doneti i detalje o kompanijinim pokušajima kada je u pitanju 193nm litografija uranjanjem.

Za razliku od suve litografije, koja koristi vazduh da popuni zazor između silikonskog wafer-a i sočiva, litografija uranjanjem koristi vodu, čime se omogućava viša rezolucija kada se šablon kola nanosi na silikon.